RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
65
Скорость чтения, Гб/сек
14.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2041
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link