RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
40
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2363
2468
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link