Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 40

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 8.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 34
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

8.8 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2363 2665

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

модули RAM