RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2600
2193
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link