RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сравнить
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
49
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
49
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2595
2673
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link