RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2595
2409
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link