RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
12.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2595
2347
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link