RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
43
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2595
2615
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link