Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Сообщить об ошибке

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 35

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.5 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 10.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 31
Скорость чтения, Гб/сек

16.2 20.5
Скорость записи, Гб/сек

10.7 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2726 3649

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM