Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 60

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.2 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.3 5.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 14900

Около 1.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 38
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 14.2
Скорость записи, Гб/сек

5.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 21300

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1411 2148

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM