RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
71
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
71
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.4
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
1650
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link