RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
28
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
14.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
18
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
14.9
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3501
3529
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link