Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 72

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 72
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 15.3
Скорость записи, Гб/сек

14.9 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3501 1593

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM