RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сравнить
Kingston KN2M64-ETB 8GB против Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2037
2952
Kingston KN2M64-ETB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GE3.AFF0C 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link