RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Kingston KN2M64-ETB 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
47
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2037
3435
Kingston KN2M64-ETB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link