RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сравнить
Kingston KP4T2F-PSB 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2317
2466
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Сравнения RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link