RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Kingston KP4T2F-PSB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2317
3515
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Сравнения RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link