Kingston KP4T2F-PSB 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Причины выбрать
Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 75

Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.3 7.1

Среднее значение в тестах

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 13.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 75
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 14.9
Скорость записи, Гб/сек

9.3 7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2317 1763

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

модули RAM