Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Причины выбрать
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 11.6
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 1635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM