RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
3041
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link