RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
2417
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link