RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
1891
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link