RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2432
3206
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link