Kingston KVR16N11/8-SP 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 26

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.5 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.2 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 18
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 20.5
Скорость записи, Гб/сек

9.5 16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2432 3564

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

модули RAM