Kingston KVR26N19D8/16 16GB против Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Средняя оценка

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Причины выбрать
Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 54

Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 7.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 7.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 30
Скорость чтения, Гб/сек

7.6 17.3
Скорость записи, Гб/сек

7.7 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1611 3267

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB

модули RAM