Kingston KVR533D2N4 512MB против A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 75

Около -178% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 4200

Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 27
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 18.4
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 21300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 3008

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

модули RAM