RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3461
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link