RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3220
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link