RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
75
Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2849
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link