RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
75
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
34
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2987
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link