Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 75

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 39
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 14.9
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 3233

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM