RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
75
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3299
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link