Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 75

Около -188% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.8 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 26
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 19.4
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 3899

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

модули RAM

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM