Kingston KVR533D2N4 512MB против Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 75

Около -275% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.1 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 4200

Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 20
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 19.0
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 21300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 3410

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

Team Group Inc. DDR4 2666 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

модули RAM