RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
75
Около -275% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
20
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3410
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link