RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
75
Около -178% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
27
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2288
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link