Kingston KVR533D2N4 512MB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 75

Около -213% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.9 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 4200

Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 24
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 14.3
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 19200

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 2191

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8-C4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology C 8GB

Crucial Technology C 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 9905701-143.A00G 16GB

Kingston 9905701-143.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM