RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
75
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
31
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2585
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link