RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
75
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
23
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2825
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link