RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
75
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
45
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2414
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link