Kingston KVR533D2N4 512MB против SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

75 81

Около 7% меньшая задержка

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.7 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.5 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 4200

Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 81
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 12.7
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 19200

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 1460

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM