RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
75
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
33
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2764
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link