RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3726
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link