RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3274
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link