RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
22.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
22.6
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3837
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link