RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2731
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link