RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
50
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.5
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
20.9
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
4324
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link