Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 72

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 15.3

Среднее значение в тестах

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.0 1,905.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 72
Скорость чтения, Гб/сек

5,143.3 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,905.1 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 1817

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

Kingston 9932301-P01.A00G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

модули RAM