RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
73
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
73
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1843
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link