RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сравнить
Kingston KY7N41-MIE 8GB против Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2948
2947
Kingston KY7N41-MIE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link