RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2427
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link